Tipo de dispositivo | Solid state drive - interno |
Capacidad | 120 GB |
Tipo de meoria flash NAND | 15nm 3D triple-level cell (TLC) |
Factor de forma | M.2 NGFF 2280 |
CaracterÃsticas | Wear Leveling Support, Código de corrección de errores (ECC), Bad Block Management, Over Provision, Phison S10/S11 Series Controller, S.M.A.R.T. |
Anchura | 22 mm |
Profundidad | 80 mm |
Altura | 7 mm |
Peso | 10 g |
Tasa de datos internos | 1500 MBps (lectura)/ 450 MBps (escritura) |
Escritura aleatoria 4KB máxima | 100000 IOPS |
Lectura aleatoria máxima de 4 KB | 90000 IOPS |
MTBF (tiempo medio entre errores) | 1,500,000 horas |
BahÃa compatible | M.2 NGFF 2280 |
Consumo de energÃa | 0.4 vatios (activo máx.) ¦ 4.1 vatios (lectura) ¦ 3.3 vatios (escritura) |
Servicio y mantenimiento | GarantÃa limitada - 3 años |
Temperatura mÃnima de funcionamiento | 0 °C |
Temperatura máxima de funcionamiento | 70 °C |
Temperatura mÃnima de almacenamiento | -40 °C |
Temperatura máxima de almacenamiento | 85 °C |