8GB 3200MT/s DDR4 CL20 SODIMM FURY Impact - KF432S20IB/8

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    8GB 3200MT/s DDR4 CL20 SODIMM FURY Impact - KF432S20IB/8

    Kingston FURY Impact - DDR4 - módulo - 8 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - sin búfer - no ECC - negro

    8GB 3200MT/s DDR4 CL20 SODIMM FURY Impact KF432S20IB/8
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    • Código 5396652
    • P/N KF432S20IB/8
    Caracteristicas principales
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    • ECCNo
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    • Memoria interna8 GB
    • Rango de memoria de transferencia de datos3200 MT/s
    • Tipo de memoria internaDDR4
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    • Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 32 GB
    • Memoria interna32 GB
    Kingston - DDR4 - módulo - 32 GB - SO-DIMM de 260 contactos - 3200 MHz / PC4-25600 - sin búfer KCP432SD8/32
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    • Tipo de memoria internaDDR4
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    • Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
    • Memoria interna4 GB
    Ficha Técnica
    Otras características
    País de origenTaiwán
    Datos logísticos
    Peso del envase completo780,45 g
    Alto de la caja principal61 mm
    Longitud de la caja311,1 mm
    Ancho de la caja principal196,8 mm
    Cantidad por caja25 pieza(s)
    Altura de la caja de envío6,1 cm
    Longitud del contenedor de envío31,1 cm
    Anchura de la caja de envío19,7 cm
    Cantidad por caja de envío25 pieza(s)
    Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
    Empaquetado
    Peso del paquete25,45 g
    Altura del paquete171,4 mm
    Profundidad del paquete14 mm
    Ancho del paquete57,1 mm
    Peso y dimensiones
    Peso8,3 g
    Altura30 mm
    Profundidad69,6 mm
    Ancho3,8 mm
    Condiciones ambientales
    Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
    Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
    Características
    Tipo de enfriamientoDisipador térmico
    Color del productoNegro
    Programador de potencia de voltaje (VPP)2,5 V
    Versión del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile)2.0
    Intel® Extreme Memory Profile (XMP)Si
    Tiempo activo en fila26,25 ns
    Tiempo de actualización de ciclo de fila350 ns
    Tiempo de ciclo de fila45,75 ns
    Configuración de módulos1024M x 64
    Voltaje de memoria1.2 V
    Clasificación de memoria1
    Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
    ECCNo
    Forma de factor de memoria260-pin SO-DIMM
    Componente paraPortátil
    Rango de memoria de transferencia de datos3200 MT/s
    Tipo de memoria internaDDR4
    Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
    Memoria interna8 GB
    Latencia CAS20
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