General | |
Tipo de dispositivo | Disco en estado sólido - interno |
Capacidad | 1024 GB |
Tipo de meoria flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
Factor de forma | M.2 2280 |
Interfaz | M.2 Card |
Características | 64-layer 3D BiCS FLASH, Host Controlled Thermal Management (HCTM), Strong and highly-efficient ECC (QSBC), TCG Pyrite, Storage Interface Interactions Specification(SIIS), autoevaluación del dispositivo |
Anchura | 22 mm |
Profundidad | 80 mm |
Altura | 2.23 mm |
Peso | 7.3 g |
Prestación | |
Tasa de datos internos | 3000 MBps (lectura)/ 2100 MBps (escritura) |
Fiabilidad | |
MTBF (tiempo medio entre errores) | 1,500,000 horas |
Expansión y conectividad | |
Interfaces | 1 x M.2 Card - M.2 Card |
Bahía compatible | M.2 2280 |
Alimentación | |
Consumo de energía | 4.5 vatios (lectura) ¦ 3.4 vatios (escritura) ¦ 4.5 vatios (activo) |
Diverso | |
Cumplimiento de normas | ICES-003, EN55024, FCC Part 15 B, UL 60950-1, EN 60950-1, BSMI CNS 13438, CAN/CSA C22.2 No. 60950-1-07, KN32, KN35, EN 55032, AS/NZS CISPR 32 |
Garantía del fabricante | |
Servicio y mantenimiento | Garantía limitada - 5 años |
Parámetros de entorno | |
Temperatura mínima de funcionamiento | 0 °C |
Temperatura máxima de funcionamiento | 80 °C |
Temperatura mínima de almacenamiento | -40 °C |
Temperatura máxima de almacenamiento | 85 °C |
Ámbito de humedad de funcionamiento | 8 - 90% (sin condensación) |
Tolerancia a golpes (operativo) | 1500 g @ onda semisenusoidal de 0,5 ms |
Tolerancia a golpes (no operativo) | 1500 g @ onda semisenusoidal de 0,5 ms |
Tolerancia a las vibraciones (operativo) | 20 g @ 10-2000 Hz |