Tipo de dispositivo | Solid state drive - interno |
Capacidad | 256 GB |
Tipo de meoria flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
Factor de forma | M.2 2280 |
Interfaz | PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
CaracterÃsticas | TcnologÃa RAIN, aceleración de escritura dinámica, Protección contra la pérdida de potencia (PLP), autoevaluación del dispositivo, modo potencia baja DEVSLP, S.M.A.R.T. |
Anchura | 22 mm |
Profundidad | 80 mm |
SSD de resistencia | 75 TB |
Tasa de datos internos | 3000 MBps (lectura)/ 1600 MBps (escritura) |
Lectura aleatoria 4KB | 240000 IOPS |
Escritura aleatoria 4KB | 210000 IOPS |
MTBF (tiempo medio entre errores) | 2,000,000 horas |
Interfaces | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
BahÃa compatible | M.2 2280 |